8n60c是什么管
`8N60C` 是一个场效应管（Field Effect Transistor, FET），具体为 N 沟道增强型绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）。以下是它的一些关键参数和特性：
品牌：FAIRCHILD（仙童）
类型：N 沟道
导电方式：增强型
漏极至源极电压（VDS）：600V
漏极电流（ID）：最大 7.5A
开启电压（VGS（th））：约 2~4V
导通电阻（RDS（ON））：小于 1.2Ω（在 VGS = 10V 时）
封装：CER-DIP/陶瓷直插
`8N60C` 通常用于开关电源、宽频带放大器等电路中。在测试时，可以使用万用表测量其栅极（G）和源极（S）之间的电阻，如果万用表读数有变化，则说明场效应管是好的；如果没有变化，则可能是坏的。
需要注意的是，虽然场效应管有三个极（源极S、漏极D和栅极G），但在测试其好坏时，通常只测量源极和漏极之间的电阻，因为理论上场效应管在截止状态时，其三个极的正反向电阻都应该是无穷大的。
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自制高压包需要一定的电子知识和实践经验，以下是一个基本的步骤指南，但请注意，制作高压包存在一定的安全风险，务必在充分了解并遵守安全规范的前提下进行。 准备工作材料和工具一个合适的变压器（至少输出12V或更多）。一个10千欧姆以上的高压电阻。一根高压线。一些小零件和辅助工具，如电线、焊锡、钳子等。 制
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`8N60C` 是一个场效应管（Field Effect Transistor, FET），具体为 N 沟道增强型绝缘栅场效应晶体管（MOSFET）。以下是它的一些关键参数和特性：品牌：FAIRCHILD（仙童）类型：N 沟道导电方式：增强型漏极至源极电压（VDS）：600V漏极电流（ID）：最大